同时，国内与单质Si相比，硅氧化物在循环过程中显示出小的体积变化。

本节介绍了TENG-DEA系统的几个应用，首台包括人工肌肉、智能开关、可调谐智能光学调制器和可调光学光栅等。变电c）三层滑动TENG驱动的2D调制器的结构示意图。

站智作机f）TENG和等离子体放电效应的UV发光装置的工作机理示意图。4、器人压电陶瓷和TENG的微驱动器压电材料可以在电磁场中变形。随着PTFE膜的滑动速度增加，江嘉光强度随之增加（图16h）。

兴投分离会导致介电弹性体上的高静电激活DEA变形。硅橡胶与碳（SR-C）混合作为摩擦层，入使电荷密度为0.25mCm-2。

TENG驱动的自供电的过滤器，国内可以清除机动车排放的微粒物质（PMs）。

利用选择性干蚀刻，首台在Kapton薄膜上创建纳米线阵列。生长条件：变电H2/CH4：15/75sccm，900°C，800mTorr，5分钟。

b，站智作机c）不同生长时间下，分别采用苯甲酸和二茂镍作为前体生长石墨烯的SEM图像，，比例尺：5μm。器人b）通过基于甲烷的APCVD（上图）和基于乙醇的LPCVD（下图）方法获得的25英寸长石墨烯玻璃上的照片。

f）石墨烯薄膜边缘的的高分辨率TEM（HR-TEM）图像，江嘉表明其为单层，比例尺：10nm。d）在典型生长条件（P（H2））=0.09巴，兴投T=1300K）下七个氢化石墨烯边缘的自由能。